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FQAF11N90C Especificaciones técnicas
FQAF11N90C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 11A |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 120W |
Turn On Delay Time | 60 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A Tc |
Rise Time | 130ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 130 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 900V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 960 mJ |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Weight | 6.962g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 900V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 120W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ω @ 3.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 85 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 7A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 7A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 28A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQAF11N90C Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQAF11N90C
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQAF1" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQAF1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQAF10N80 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12842 |
FQAF10N80 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 15925 |
FQAF11N40 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8000 |
FQAF11N40 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8000 |
FQAF11N90 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8000 |
FQAF11N90 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8000 |
FQAF11N90C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9308 |
FQAF11N90C | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9308 |
FQAF12N60 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2691 |
FQAF12N60 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2651 |
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