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FDMS1D5N03 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9690pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 218A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6), Power56
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDMS1D5N03CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 39 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 218A (Tc)
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Otros incluyen   "FDMS1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDMS1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDMS10C4D2N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
FDMS10C4D2N ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDMS1D2N03DSD ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
FDMS1D4N03S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
FDMS1D4N03S ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDMS1D5N03 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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