FDMS1D4N03S Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®, SyncFET™
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Body)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 211A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6), Power56
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.09 mOhm @ 38A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDMS1D4N03STR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 39 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10250pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 211A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDMS10C4D2N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
FDMS10C4D2N ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDMS1D2N03DSD ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
FDMS1D4N03S ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDMS1D5N03 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 229541
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