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BDW42 Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 100V 15A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 85W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 50mA, 10A
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 4MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BDW42 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BDW42 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BDW42C AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 47
BDW42G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2764
BDW42G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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