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BD1356STU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 45V 1.5A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.25W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-126
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 1.5A 1.25W Through Hole TO-126
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number BD135
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD135 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 115080
BD135 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 115080
BD135 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD135 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BD135-16 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 7713
BD135-16 IC CIs Calientes Especializados 3328
BD13510S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2583
BD13510S Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2770
BD13510S ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD13510STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2869

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