W632GG6KB15J Especificaciones técnicas

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Winbond Electronics Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - DDR3
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 2Gb (128M x 16)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 667MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
Access Time 20ns
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.425 V ~ 1.575 V
Supplier Device Package 96-WBGA (9x13)
Package / Case 96-TFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 667MHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
W632GG6AB-12 Winbond Electronics Corporation Memoria 2573
W632GG6AB-15 Winbond Electronics Corporation Memoria 2739
W632GG6KB-09 Winbond Electronics Corporation Memoria 2790
W632GG6KB-11 Winbond Electronics Corporation Memoria 2680
W632GG6KB-11 TR Winbond Electronics Corporation Memoria 2607
W632GG6KB-12 Winbond Electronics Corporation Memoria 758
W632GG6KB-12 IC Winbond Electronics Corporation CIs Calientes Especializados 714
W632GG6KB-12 TR Winbond Electronics Corporation Memoria 2679
W632GG6KB-15 Winbond Electronics Corporation Memoria 1346
W632GG6KB-15 IC Winbond Electronics Corporation CIs Calientes Especializados 414

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