VQ1001P-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V
FET Type 4 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 14-DIP
Power - Max 2W
Package / Case -
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 830mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VQ1000J SIL CIs Calientes Especializados 5255
VQ1000J IC SILICONI CIs Calientes Especializados 384
VQ1000N6 SI CIs Calientes Especializados 908
VQ1000N7 SIL CIs Calientes Especializados 4
VQ1000P SIL CIs Calientes Especializados 1377
VQ1001J SIL CIs Calientes Especializados 5405
VQ1001P Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2397
VQ1001P Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2957
VQ1001P Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
VQ1001P-2 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2939

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