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SUP53P06-20-GE3
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SUP53P06-20-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Ta), 53A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'SUP53'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SUP53N06-20 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 32363 |
SUP53P06-20 | V | CIs Calientes Especializados | 789 |
SUP53P06-20 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 1329 |
SUP53P06-20-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10526 |
SUP53P06-20-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 33618 |
SUP53P06-20-E3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SUP53P06-20-E3-ND | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 10 |
SUP53P06-20-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2742 |
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Envoltura de Alambre
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