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SUM10250E-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series ThunderFET®
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3002pF @ 125V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 63.5A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 30A, 10V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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Otros incluyen   "SUM10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SUM10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SUM100N12-14L Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 6540
SUM100N12-14L-E3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 50
SUM10250E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2860
SUM10P002 TOSHIBA Módulos IGBT 2711
SUM10P009 IGBT Module Módulos IGBT 2690
SUM10P06-07L VISH CIs Calientes Especializados 25000
SUM10P06-08L VISH CIs Calientes Especializados 25316

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