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SQJ886EP-T1_GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 15.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2922pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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Otros incluyen   "SQJ88"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SQJ88' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SQJ886EP-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2783
SQJ886EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3174
SQJ886EP-T1_GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SQJ886EP-TI-HE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2541

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SQJ886EP-T1_GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SQJ886EP-T1_GE3 precio de referencia. SQJ886EP-T1_GE3 parámetros, SQJ886EP-T1_GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SQJ886EP-T1_GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SQJ886EP-T1_GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SQJ886EP-T1_GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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