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SQJ412EP-T1_GE3
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SQJ412EP-T1_GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 10.3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5950pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
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Otros incluyen "SQJ41" partes
Las siguientes partes incluyen 'SQJ41'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SQJ410EP-T1-GE3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 320 |
SQJ410EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2672 |
SQJ411EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2606 |
SQJ411EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2667 |
SQJ411EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SQJ412EP-T1 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 3036 |
SQJ412EP-T1-GE3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 12899 |
SQJ412EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2730 |
SQJ414EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
SQJ415EP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 1479 |
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