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SQJ202EP-T1_GE3
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SQJ202EP-T1_GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 27W, 48W |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A, 60A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 6V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SQJ202EP-T1_GE3
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Hojas de datos
SQJ202EP-T1_GE3.pdf
Otros incluyen "SQJ20" partes
Las siguientes partes incluyen 'SQJ20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SQJ200EP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 657 |
SQJ200EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2641 |
SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2684 |
SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SQJ202EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2550 |
SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SQJ204EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2502 |
SQJ204EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SQJ208EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs |
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