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SQ4850EY-T1_GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 6.8W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Otros incluyen   "SQ485"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SQ485' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SQ4850EY-T1 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 123
SQ4850EY-T1-GE3 V CIs Calientes Especializados 3894
SQ4850EY-T1-GE3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 4229
SQ4850EY-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2807

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SQ4850EY-T1_GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SQ4850EY-T1_GE3 precio de referencia. SQ4850EY-T1_GE3 parámetros, SQ4850EY-T1_GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SQ4850EY-T1_GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SQ4850EY-T1_GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SQ4850EY-T1_GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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