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SQ2351ES-T1_GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CHAN 20V SOT23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Tc)
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Otros incluyen   "SQ235"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SQ235' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SQ2351ES-T1-GE3 V CIs Calientes Especializados 602
SQ2351ES-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3210
SQ2351ES-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
SQ2351ES-TI-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1955
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SQ2351ES-T1_GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SQ2351ES-T1_GE3 precio de referencia. SQ2351ES-T1_GE3 parámetros, SQ2351ES-T1_GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SQ2351ES-T1_GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SQ2351ES-T1_GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SQ2351ES-T1_GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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