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SISS98DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series ThunderFET®
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 7.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.1A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SISS98DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2795
SISS98DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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