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SISS23DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8840pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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SISS23DN-T1-GE3 Documentos

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Otros incluyen   "SISS2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SISS2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SISS23DN-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2601
SISS23DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 340
SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SISS26DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12113
SISS27ADN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2924
SISS27ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15293
SISS27ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SISS27DN-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2558
SISS27DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9466
SISS27DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9770

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