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SISA18DN-T1-GE3
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SISA18DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38.3A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SISA1" partes
Las siguientes partes incluyen 'SISA1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SISA10DN | vishay | CIs Calientes Especializados | 2566 |
SISA10DN-T1 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 752 |
SISA10DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 27435 |
SISA10DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 706 |
SISA10DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SISA12ADN | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 576 |
SISA12ADN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22870 |
SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22870 |
SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SISA12ADN-T1-GE3 IC | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 455 |
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