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SISA14DN-T1-GE3
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SISA14DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'SISA1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SISA10DN | vishay | CIs Calientes Especializados | 2566 |
SISA10DN-T1 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 752 |
SISA10DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 27435 |
SISA10DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 706 |
SISA10DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SISA12ADN | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 576 |
SISA12ADN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22870 |
SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22870 |
SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SISA12ADN-T1-GE3 IC | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 455 |
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