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SIS902DN-T1-GE3
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SIS902DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 15.4W |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 186 mOhm @ 3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 38V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SIS90" partes
Las siguientes partes incluyen 'SIS90'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIS900 A2 CN | SIS | CIs Calientes Especializados | 2634 |
SIS902DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2701 |
SIS902DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SIS903DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2667 |
SIS903DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs |
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