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SIS862DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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Otros incluyen   "SIS86"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIS86' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIS862ADN-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 9890
SIS862DN-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2524
SIS862DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15515

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SIS862DN-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SIS862DN-T1-GE3 precio de referencia. SIS862DN-T1-GE3 parámetros, SIS862DN-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIS862DN-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIS862DN-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIS862DN-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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