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SIS434DN-T1-GE3
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SIS434DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 16.2A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1530pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIS430DN | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 5206 |
SIS430DN-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2652 |
SIS430DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 19004 |
SIS430DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 40850 |
SiS430DN-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 13476 |
SiS434DN | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 50475 |
SIS434DN-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2519 |
SIS434DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 35145 |
SIS434DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SiS434DN-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 330 |
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