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SIRA34DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 31.25W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIRA32DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2617
SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIRA34DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3166
SIRA34DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIRA36DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1909
SIRA36DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3058

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SIRA34DP-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SIRA34DP-T1-GE3 precio de referencia. SIRA34DP-T1-GE3 parámetros, SIRA34DP-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIRA34DP-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIRA34DP-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIRA34DP-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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