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SIR892DP-T1-GE3
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SIR892DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 50W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2645pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SIR89" partes
Las siguientes partes incluyen 'SIR89'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIR890DP | SI | CIs Calientes Especializados | 1026 |
SIR890DP-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 1067 |
SIR890DP-T1-GE2 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 5856 |
SIR890DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 11108 |
SIR890DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 824559 |
SIR890DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SIR890DP-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 3139 |
SIR892DP | SI | CIs Calientes Especializados | 2041 |
SIR892DP-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 98478 |
SIR892DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 852166 |
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