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SIR626DP-T1-RE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 100A SO8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 7.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5130pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SIR626DP-T1-RE3

Otros incluyen   "SIR62"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIR62' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIR622DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9215
SIR622DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2773
SIR624DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2724
SIR624DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2501
SIR626DP-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2340
SIR626DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3080
SIR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR626DP-T1-RE3
SIR626LDP-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 638

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