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SIHW47N60EF-GE3
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SIHW47N60EF-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-247AD |
Power Dissipation (Max) | 379W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 24A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4854pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SIHW4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIHW47N60E | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2614 |
SIHW47N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2593 |
SIHW47N60E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 950 |
SIHW47N60E-GE3 IC | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 362 |
SIHW47N60EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2696 |
SIHW47N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2511 |
SIHW47N65E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2533 |
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