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SIHU7N60E-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Otros incluyen   "SIHU7"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHU7N60E-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2595
SIHU7N60E-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2789
SIHU7N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2686
SIHU7N60E-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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