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SIHU5N50D-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-251AA
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Otros incluyen   "SIHU5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIHU5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHU5N50D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2967
SIHU5N50D-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHU5N50D-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2631
SIHU5N50D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2501
SIHU5N50D-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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