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SIHP35N60E-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series E
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2760pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94 mOhm @ 17A, 10V
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Otros incluyen   "SIHP3"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHP30N60AEL-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2598
SiHP30N60E Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 17
SIHP30N60E-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5144
SIHP30N60E-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 386
SIHP30N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7169
SIHP30N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7169
SIHP33N60E VISYA CIs Calientes Especializados 13430
SIHP33N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7885
SIHP33N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7885
SIHP33N60E-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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