SIHH11N60EF-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 357 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1078pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Power Dissipation (Max) 114W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHH100N60E Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 10069
SIHH1075-R22L-R29 MAG CIs Calientes Especializados 4282
SIHH11N60E Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 9226
SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2751
SIHH11N60E-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2707
SIHH11N60EF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2527
SIHH11N65E Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 9364
SIHH11N65E-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2594
SIHH11N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2630
SIHH11N65EF Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 9335

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