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SIHG47N60E-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 24A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9620pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 357W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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SIHG47N60E-E3 Documentos

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Otros incluyen   "SIHG4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIHG4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHG40N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2619
SIHG40N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2504
SIHG44N65EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2593
SIHG44N65EF-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2671
SIHG44N65EF-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHG460B-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2528
SIHG460B-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
SIHG460B-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHG47N60AE-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2822
SIHG47N60AE-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4753

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