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SIHB6N65E-GE3
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SIHB6N65E-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SIHB6" partes
Las siguientes partes incluyen 'SIHB6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIHB6N65E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2670 |
SIHB6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales |
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