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SIE874DF-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 10-PolarPAK® (L)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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Otros incluyen   "SIE87"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIE87' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIE874DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3280
SIE876DF-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2530
SIE876DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2748
SIE878DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2641
SIE878DF-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2526

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SIE874DF-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SIE874DF-T1-GE3 precio de referencia. SIE874DF-T1-GE3 parámetros, SIE874DF-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIE874DF-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIE874DF-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIE874DF-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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