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SIE848DF-T1-GE3
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SIE848DF-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SIE84'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIE844DF-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2636 |
SIE844DF-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2711 |
SIE844DF-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2525 |
SIE844DF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2531 |
SIE848DF-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2653 |
SIE848DF-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2789 |
SIE848DF-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2665 |
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