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SIE810DF-T1-E3
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SIE810DF-T1-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'SIE81'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIE810DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SIE810DF-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2501 |
SIE810DF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2638 |
SIE812DF | vishay | CIs Calientes Especializados | 1068 |
SIE812DF-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2744 |
SIE812DF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2572 |
SIE812DF-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2510 |
SIE816DF-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2627 |
SIE816DF-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2667 |
SIE816DF-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2679 |
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Visión por Comput...
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