SIE810DF-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package 10-PolarPAK® (L)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIE810DF-T1-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIE810DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2501
SIE810DF-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2638
SIE812DF vishay CIs Calientes Especializados 1068
SIE812DF-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2744
SIE812DF-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2572
SIE812DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2510
SIE816DF-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2627
SIE816DF-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2667
SIE816DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2679

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