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SIB488DK-T1-GE3
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SIB488DK-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 725pF @ 6V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SC-75-6L |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 8V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SIB48'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIB488DK-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 364 |
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