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SIA413DJ-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) -
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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SIA413DJ-T1-GE3 Documentos

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Otros incluyen   "SIA41"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIA41' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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SIA411DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3509
SIA411DJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3509
SIA413ADJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 61260
SIA413DJ-T1-E3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 30
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SIA413DJ-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SIA413DJ-T1-GE3 precio de referencia. SIA413DJ-T1-GE3 parámetros, SIA413DJ-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIA413DJ-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIA413DJ-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIA413DJ-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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