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SI8499DB-T2-E1 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Package / Case 6-MICRO FOOT™
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 6-Micro Foot™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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Otros incluyen   "SI849"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI849' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI8497DB-T2-E1 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2770
SI8497DB-T2-E1 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2597
SI8499DB-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 36500
SI8499DB-T2-E1 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 542475
SI8499DB-T2-E1 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 6228

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SI8499DB-T2-E1 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SI8499DB-T2-E1 precio de referencia. SI8499DB-T2-E1 parámetros, SI8499DB-T2-E1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI8499DB-T2-E1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI8499DB-T2-E1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI8499DB-T2-E1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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