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SI8472DB-T2-E1
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SI8472DB-T2-E1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Package / Case | 4-UFBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 8V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | 4-Micro Foot (1x1) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
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Las siguientes partes incluyen 'SI847'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI8472DB-T2-E1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8922 |
SI8472DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SI8472DB-T2-E1 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 3331 |
SI8472DB-T2-E1-A | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 3250 |
SI8473EDB-T1-E1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2785 |
SI8473EDB-T1-E1 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2711 |
SI8475EDB-T-E1 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 2743 |
SI8475EDB-T1-E1 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2684 |
SI8475EDB-T1-E1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2594 |
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