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SI7964DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.4W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 9.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Otros incluyen   "SI796"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI796' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7960 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 427
SI7960DP SI CIs Calientes Especializados 602
SI7960DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 917
SI7960DP-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1406
SI7960DP-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI7960DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 798637
SI7960DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 9237
SI7960DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI7962DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2794
SI7962DP-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2611

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