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SI7888DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 12.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Ta)
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Las siguientes partes incluyen  'SI788' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7880ADP SI CIs Calientes Especializados 672
SI7880ADP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 101664
SI7880ADP-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 915
SI7880ADP-T1-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SI7880ADP-T1-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2622
SI7880ADP-T1-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1535
SI7880ADP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12499
SI7880ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3678
SI7880DP VISHAY CIs Calientes Especializados 2700
SI7880DP-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 754

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