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SI7615DN-T1-GE3
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SI7615DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 183nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI7611DN | SI | CIs Calientes Especializados | 8374 |
Si7611DN-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 457 |
SI7611DN-T1-E3 IC | TI | CIs Calientes Especializados | 735 |
SI7611DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 47574 |
SI7611DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3700 |
SI7611DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
Si7611DN-T1-GE3 MOS | CCSEMI | CIs Calientes Especializados | 3310 |
SI7613DN-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2718 |
SI7613DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 43873 |
SI7613DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5844 |
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