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SI7478DP-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
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Otros incluyen   "SI747"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7470DP-T1-E3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 31
SI7470DP-T1-GE3 VB CIs Calientes Especializados 1000
SI7476DP VISHAY CIs Calientes Especializados 606
SI7476DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2864
SI7476DP-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 419
SI7476DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5537
SI7476DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 664
SI7476DP-T1-GE3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5439
SI7478DP SI CIs Calientes Especializados 2615
SI7478DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5952

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