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SI7462DP-T1-E3
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SI7462DP-T1-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
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Las siguientes partes incluyen 'SI746'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI7460DP | SI | CIs Calientes Especializados | 2883 |
SI7460DP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 14239 |
SI7460DP-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2323 |
SI7460DP-T1-E3 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5531 |
SI7460DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 7107 |
SI7460DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4125 |
SI7460DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SI7461DP | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 8414 |
SI7461DP-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8390 |
SI7461DP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2772 |
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