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SI7366DP-T1-GE3
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SI7366DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SI736" partes
Las siguientes partes incluyen 'SI736'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI7363ADP-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2591 |
SI7366DP | SI | CIs Calientes Especializados | 1714 |
SI7366DP-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 225 |
SI7366DP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2888 |
SI7366DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 814665 |
SI7366DP-T1-GE3 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 1495 |
SI7368 | Original | CIs Calientes Especializados | 93000 |
SI7368DP | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 798200 |
SI7368DP-T1 | Vishay | CIs Calientes Especializados | 3407 |
SI7368DP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12058 |
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