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SI7160DP-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2970pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7160DP SI CIs Calientes Especializados 43
SI7160DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3116
SI7160DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8269
SI7160DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3357
SI7164DP-T1-E3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 6399
SI7164DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12547
SI7164DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24814
SI7164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SI7164DP-T1-GE3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 464
SI7164DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 381

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