SI7108DN-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9 mOhm @ 22A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7100DN SI CIs Calientes Especializados 2609
SI7100DN-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4778
SI7100DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5337
SI7100DN-T1-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1561
SI7100DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32931
SI7100DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10575
SI7100DN-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 7615
SI7100EDN-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 5642
SI7101DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3510
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