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SI7104DN-T1-GE3
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SI7104DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 6V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI7100DN | SI | CIs Calientes Especializados | 2609 |
SI7100DN-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4778 |
SI7100DN-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5337 |
SI7100DN-T1-E3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 1561 |
SI7100DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32931 |
SI7100DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10575 |
SI7100DN-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 7615 |
SI7100EDN-T1-GE3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 5642 |
SI7101DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3510 |
SI7101DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3760 |
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Propósito Especial
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