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SI6993DQ-T1-GE3
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SI6993DQ-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 830mW |
Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-TSSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 4.7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Hojas de datos
SI6993DQ-T1-GE3.pdf
Otros incluyen "SI699" partes
Las siguientes partes incluyen 'SI699'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI6991DQ-T1-E3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 5000 |
SI6993 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 31 |
SI6993DQ-T1 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 897 |
SI6993DQ-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 3037 |
SI6993DQ-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 524 |
SI6993DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI6993DQ-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 6689 |
SI6993DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI6993DQ-T1-GE3 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 6656 |
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