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SI6473DQ-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.08W (Ta)
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
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Otros incluyen   "SI647"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI647' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI6473DQ V CIs Calientes Especializados 2500
SI6473DQ-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
SI6473DQ-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2676
SI6473DQ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2616
SI6475DQ V CIs Calientes Especializados 5037
SI6475DQ MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5381

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SI6473DQ-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SI6473DQ-T1-GE3 precio de referencia. SI6473DQ-T1-GE3 parámetros, SI6473DQ-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI6473DQ-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI6473DQ-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI6473DQ-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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