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SI6435ADQ-T1-GE3
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SI6435ADQ-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Supplier Device Package | 8-TSSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.5A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.05W (Ta) |
Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI6433BDQ-T1 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 6500 |
SI6433BDQ-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25158 |
SI6433BDQ-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 493 |
SI6433BDQ-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 28523 |
SI6433BDQ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2489 |
SI6433BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SI6433DQ | SI | CIs Calientes Especializados | 5100 |
SI6433DQ-T | SILICON | CIs Calientes Especializados | 2622 |
SI6433DQ-T1 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 235283 |
SI6433DQ-T1-E3 | TSSOP-8 | CIs Calientes Especializados | 12824 |
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